Oferta
Clean Room Lab
Strukturyzacja powierzchni
Fotolitografia
Wytwarzanie wzorów w fotorezyście za pomocą maski i lampy rtęciowej UV z rozdzielczością ok. 1 µm
SÜSS MicroTec Mask Aligner MA8/BA8
Bezmaskowa litografia optyczna
Wytwarzanie wzorów w fotorezyście za pomocą litografii bezmaskowej UV (LED/DMD lub laser) z rozdzielczością ok. 1 µm
Heidelberg Instruments µMLA Tabletop Maskless Aligner
Precyzyjny druk ścieżek metalicznych
Wytwarzanie ścieżek przewodzących srebrnych w mikroskali
XTPL Delta Printing System
Osadzanie cienkich warstw
Osadzanie cienkich warstw metodą rozpylania magnetronowego
Osadzanie cienkich warstw materiałów takich jak metale (Au, Ag, Cu, Al, Ti, Ni, Mo, itp.), tlenki (np. SiO2, Al2O3)
Moorfield MiniLab 060
Osadzanie cienkich warstw przy użyciu wiązki elektronowej
Osadzanie cienkich warstw materiałów takich jak metale (Cu, Ti, Ni, Au, itp.), tlenki (e.g. SiO2)
Moorfield MiniLab 080
Osadzanie warstw atomowych (ALD)
Osadzanie warstw atomowych materiałów Al2O3, ZnO
Beneq TFS 200-312
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (PECVD)
Osadzanie cienkich warstw SiO2, Si3N4
Sentech SI 500 208
Modyfikacja plazmowa próbek
Trawienie plazmowe
Precyzyjne trawienie ICP-RIE za pomocą gazów: Ar, O2, SF6, CF4, CHF3, C4F8, SiCl4, BCl3, Cl2. Dwa osobne reaktory do trawienia: a) Si, SiO2, SiO2-TiO2, b) półprzewodników III-V (GaN, AlGaN)
Sentech SI 500 206, Sentech SI 500 207
Czyszczenie plazmowe
Plazma mikrofalowa O2, CF4, Ar
TePla GIGAbatch 310M, Diener Zepto
Pomiary cienkich warstw
Profilometria stykowa
Pomiar wysokości struktur i chropowatości powierzchni
Bruker DektakXT
Profilometria optyczna
Pomiar wysokości struktur i chropowatości powierzchni
Bruker ContourGT
Elipsometria spektroskopowa
Pomiar w szerokim zakresie spektralnym UV-VIS-NIR (190 nm do 3.5 µm). Wyznaczanie współczynnika załamania i grubości cienkich warstw.
Sentech SE850 DUV
Obróbka termiczna
Szybka obróbka termiczna (RTP)
Wygrzewanie podłoży metodą RTP w temperaturze do 1200 °C
Annealsys AS-One 150
Wygrzewanie (suszarka laboratoryjna)
Wygrzewanie w szerokim zakresie temperatur (do 300 °C)
Binder FD53, Binder FD56
Wygrzewanie (płyta grzejna)
Wygrzewanie podłoży z dużą jednorodnością (±0,5 °C poniżej 120 °C, ±1% powyżej 120 °C) i precyzją w zakresie do 250 °C
SÜSS HP8 Hot plates
Powlekanie obrotowe (spin-coating)
Otrzymywanie cienkich warstw materiałów za pomocą rozwirowania (np. fotorezystu) z grubością zależną od prędkosci obrotowej.
SÜSS RCD8, Laurell WS-650, POLOS SPIN 150i
Mikroskopia optyczna
Mikroskopia optyczna
Obserwacja i pomiary mikroskopowe próbek z wysoką precyzją i rozdzielczością
Leica DM 4000, DM 8000, Keyence VHX-7000
