Grupa Badawcza Epitaksji Związków Półprzewodnikowych
Grupa badawcza koncentruje się na badaniach nowych emiterów głębokiego UV opartych na azotkach grupy-III (AlGaInN) w układach z unikatowymi kombinacjami materiałowymi, łączącymi m.in. arsen, bor, a w przyszłości również inne pierwiastki grupy-III. Grupa prowadzi badania podstawowe na potrzeby nowatorskich wdrożeń związanych z procesami oczyszczania wody oraz dezynfekcji dla branży medycznej i służby zdrowia. Prace obejmują badania nad wykorzystaniem różnych kombinacji metod epitaksjalnych do wytwarzania unikatowych układów warstwowych.
Główne wyzwania, jakie grupa rozwiązuje w swoich badaniach, związane są z wytwarzaniem wysokojakościowych struktur o dużej zawartości aluminium spełniających wymagania wydajnych źródeł dla emiterów głębokiego ultrafioletu.
Grupa naukowców
prof. Robert Kudrawiec
Absolwent Wydziału Podstawowych Problemów Techniki na Politechnice Wrocławskiej, specjalizujący się w fizyce ciała stałego. Kariera naukowa: mgr inż. 2000, doktor 2004, doktor habilitowany 2010, profesor 2018. Staże międzynarodowe: od lutego 2006 do maja 2007 roku jako post-doc na Uniwersytecie Stanforda, od stycznia 2012 do września 2013 roku na urlopie sabatowym w Lawrence Berkeley National Laboratory. Od października 2017 roku związany z PORT, gdzie obecnie kieruje grupą badawczą EpiMat. Specjalizuje się w optycznych półprzewodnikach i ich zastosowaniach w urządzeniach półprzewodnikowych. Należą do nich półprzewodniki grup III-V, w tym azotki grupy III, półprzewodniki grupy IV oraz II-VI, a ostatnio także kryształy van der Waalsa i perowskity. W projekcie HYPHa zajmuje się kryształami van der Waalsa i ich integracją z falowodami na bazie krzemionki.
prof. Jarosław Serafińczuk
Jarosław jest absolwentem dawnego Wydziału Elektroniki Politechniki Wrocławskiej, gdzie ukończył studia magisterskie na kierunku Elektronika i Telekomunikacja, w specjalności Optoelektronika i Technika Światłowodowa. Stopień doktora nauk technicznych uzyskał w 2002 roku na Wydziale Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej. W 2018 roku otrzymał stopień doktora habilitowanego w dyscyplinie elektronika, a następnie tytuł profesora nauk inżynieryjno-technicznych w dziedzinach inżynierii materiałowej oraz automatyki, elektroniki, elektrotechniki i technologii kosmicznych.
Obecnie pracuje w Katedrze Nanometrologii na Wydziale W12 (Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów) Politechniki Wrocławskiej.
Jego działalność naukowa koncentruje się głównie na zastosowaniu dyfrakcji rentgenowskiej w badaniach materiałowych. Głównym obszarem jego zainteresowań jest wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska, wykorzystywana w analizie struktur wytwarzanych metodami epitaksjalnymi. Dodatkowo prowadzi badania nad materiałami dwuwymiarowymi oraz perowskitowymi. W swojej pracy wykorzystuje zarówno techniki dyfrakcji rentgenowskiej, jak i inne metody pomiarowe, takie jak mikroskopia sił atomowych (AFM), w tym do charakteryzacji właściwości elektrycznych i mechanicznych materiałów.
Prof. Serafińczuk jest współautorem ponad stu publikacji naukowych, w których opracował m.in. nowe techniki badawcze i pomiarowe. Był promotorem dwóch zakończonych przewodów doktorskich (i obecnie promuje kolejne dwa), a także opiekunem 39 prac dyplomowych. Był kierownikiem trzech projektów badawczych finansowanych przez Narodowe Centrum Nauki (Opus, Sonata, Iuventus Plus) oraz uczestniczył w realizacji 21 projektów naukowych.
Jest stypendystą DAAD (Niemieckiej Centrali Wymiany Akademickiej) oraz uczestnikiem prestiżowych programów takich jak „Mistrz” Fundacji na rzecz Nauki Polskiej oraz „Młoda Kadra” Politechniki Wrocławskiej.
W latach 2018 i 2024 odbył staże naukowe w Instytucie Technologii i Analityki Nanostruktur (INA) Uniwersytetu w Kassel. W pracy dydaktycznej prowadzi zajęcia z zakresu nanotechnologii, nanodiagnostyki oraz programowania.
Jest członkiem Polskiego Towarzystwa Krystalograficznego.
dr hab. Damian Pucicki
Damian jest zatrudniony na stanowisku profesora uczelni na Politechnice Wrocławskiej, na Wydziale Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów, w Katedrze Nanometrologii. Równocześnie pełni funkcję starszego inżyniera badawczo-technicznego oraz kierownika Laboratorium Epitaksji w Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii we Wrocławiu. Jego zainteresowania naukowe koncentrują się przede wszystkim na optymalizacji warunków wzrostu epitaksjalnego (z wykorzystaniem technik MOVPE lub MBE) w celu otrzymywania wysokiej jakości warstw krystalicznych i struktur półprzewodnikowych dla urządzeń optoelektronicznych i mikroelektronicznych, takich jak tranzystory, fotodetektory, ogniwa fotowoltaiczne oraz lasery.
Aktywnie zajmuje się również optyczną i strukturalną charakterystyką heterostruktur półprzewodnikowych, co stanowi kluczowy element w procesie optymalizacji warunków epitaksji oraz identyfikacji niejednorodności stopowych.
Dr Pucicki specjalizuje się ponadto w opracowywaniu procesów szybkiego wygrzewania temperaturowego (RTA), służących do redukcji defektów strukturalnych w warstwach półprzewodnikowych, co poprawia ich właściwości emisyjne, elektryczne i krystaliczne. Jego prace obejmują również rozwój procedur technologicznych pozwalających na weryfikację skuteczności technik optymalizacyjnych w procesach epitaksjalnych i strukturach urządzeń.
W zakresie jego kompetencji znajduje się również optymalizacja projektów urządzeń optoelektronicznych, w szczególności konstrukcji studni kwantowych i ich struktur elektronowych, dostosowanych do rodzaju urządzenia. Poza pracą teoretyczną, aktywnie uczestniczy w procesie wytwarzania i charakteryzacji urządzeń optoelektronicznych, łącząc badania podstawowe z technologiami aplikacyjnymi.
Umiejętności inżynierskie i techniczne dr. Pucickiego mają istotne znaczenie w zarządzaniu, obsłudze oraz utrzymaniu infrastruktury badawczej, zarówno w laboratorium epitaksji, jak i w całym cleanroomie w Łukasiewicz – PORT. Skutecznie kieruje pracą zespołu naukowców i doktorantów, pełniąc rolę mentora oraz nadzorując realizację ich projektów naukowych związanych z epitaksją.
dr hab. Miłosz Grodzicki
Miłosz jest fizykiem specjalizującym się w eksperymentalnej fizyce powierzchni, spektroskopii fotoelektronów oraz fizyce ciała stałego. Jego badania koncentrują się na strukturze elektronowej materiałów, w tym półprzewodników, materiałów dwuwymiarowych (2D) oraz związków metali przejściowych, ze szczególnym uwzględnieniem spektroskopii fotoelektronów rentgenowskich (XPS) i nadfioletowych (UPS) prowadzonych w warunkach ultrawysokiej próżni (UHV).
Posiada bogate doświadczenie w badaniu zjawisk powierzchniowych, takich jak wyrównanie pasm energetycznych, reaktywność chemiczna czy oddziaływania międzyfazowe w układach hybrydowych i cienkowarstwowych. Jego specjalnością jest korelacja struktury elektronowej i chemicznej zaawansowanych materiałów z ich właściwościami funkcjonalnymi.
W Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT koncentruje się szczególnie na badaniach materiałów półprzewodnikowych z grupy III azotków.
dr Paulina Ciechanowicz
Paulina uzyskała tytuł inżyniera na kierunku Nanotechnologia oraz tytuł magistra na kierunku Elektronika i Telekomunikacja na Politechnice Wrocławskiej. Stopień doktora zdobyła na Uniwersytecie Wrocławskim, realizując badania doktorskie w Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT. Tematem jej rozprawy doktorskiej było zastosowanie arsenu w epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) azotku galu, w celu modyfikacji właściwości materiałowych i kontroli trybu wzrostu.
W wyniku tych badań opracowano nową metodę wzrostu dwunastościennych mikrosłupków GaN z wykorzystaniem procesu VLS (Vapor-Liquid-Solid) indukowanego arsenem. Obecnie podejście to jest dalej rozwijane i optymalizowane w ramach działalności grupy badawczej Epitaksji Związków Półprzewodnikowych. W czasie doktoratu była kierowniczką własnego projektu NCN Preludium zatytułowanego „Indukowany arsenem wzrost VLS dwunastościennych mikrosłupków GaN metodą epitaksji z wiązki molekularnej”.
Aktualnie Paulina pracuje jako post-doc w projekcie NCN Sonata BIS pt. „Mikrokolumnowe azotkowe emitery na zakres UV”, realizowanym pod kierunkiem dr. Łukasza Janickiego. W zespole specjalizuje się w epitaksji mikrostruktur na bazie GaN, a jej bieżące prace skupiają się na rozwoju struktur opartych na mikrosłupkach GaN do zastosowań w diodach elektroluminescencyjnych (LED).
dr Łukasz Janicki
Łukasz uzyskał tytuł magistra fizyki na Politechnice Wrocławskiej, gdzie kontynuował również studia doktoranckie. Jego badania dotyczyły materiałów i struktur półprzewodnikowych z grupy III azotków, ze szczególnym uwzględnieniem analizy ich właściwości powierzchniowych za pomocą metod spektroskopii optycznej. Prowadził pomiary zarówno powierzchni niezabezpieczonych, jak i pokrytych warstwami ochronnymi, w różnych warunkach otoczenia.
Na potrzeby swoich badań Łukasz opracował nowe narzędzia umożliwiające wykonywanie pomiarów bezkontaktową elektroreflektancją (oraz innymi technikami spektroskopii modulacyjnej) w zmiennych temperaturach i składzie atmosfery. Wyniki tych prac pozwoliły mu na uzyskanie stopnia doktora nauk fizycznych w 2015 roku.
W Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT Łukasz zajmuje się wzrostem struktur półprzewodnikowych z azotków III grupy metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), ze szczególnym uwzględnieniem struktur mikrokolumnowych. Na realizację tych badań uzyskał grant NCN Sonata BIS pt. „Mikrokolumnowe emitery UV na bazie azotków”.
dr Anastasiia Lysak
Anastasiia ukończyła studia licencjackie i magisterskie z fizyki na Narodowym Uniwersytecie Technicznym Ukrainy „Kijowskim Instytucie Politechnicznym im. Igora Sikorskiego” w latach 2011–2017, a następnie drugie studia magisterskie na Uniwersytecie Wrocławskim (stypendium im. Stefana Banacha). W Instytucie Fizyki PAN zrealizowała doktorat w latach 2020–2025, poświęcony wzrostowi i charakteryzacji supersieci opartych na warstwach ZnO i CdO metodą PA-MBE, zarówno niedomieszkowanych, jak i domieszkowanych in situ jonami europu.
Pracowała w Laboratorium Epitaksji z Wiązek Molekularnych w Instytucie Fizyki PAN, gdzie zajmowała się wzrostem heterostruktur półprzewodnikowych z grupy II–VI oraz ich kompleksową charakteryzacją strukturalną, optyczną i elektryczną, wykorzystując m.in. AFM, SEM/EDX/CL, PL, UV-VIS oraz pomiary efektu Halla. Jest współautorką ponad 20 publikacji, w tym 5 jako pierwszy autor, a wyniki swojej pracy prezentowała na 12 konferencjach międzynarodowych. Obecnie pracuje w grupie Advanced Epitaxial Materials (EpiMat) w Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT, gdzie zajmuje się wzrostem heterostruktur azotków grupy III domieszkowanych borem metodą MOVPE, w ramach projektu realizowanego we współpracy z ams OSRAM.
dr Dominika Majchrzak
Dominika jest absolwentką Uniwersytetu Wrocławskiego, gdzie ukończyła studia na kierunku fizyka doświadczalna na Wydziale Fizyki i Astronomii. Po uzyskaniu tytułu magistra rozpoczęła doktorat wdrożeniowy w Instytucie Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych PAN (INTiBS), równocześnie pracując w Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii w grupie badawczej kierowanej przez prof. Detlefa Hommla. Jej praca doktorska koncentrowała się na strukturalnej i elektrycznej charakteryzacji materiałów półprzewodnikowych opartych na azotku galu.
Głównym zadaniem Dominiki jest charakteryzacja strukturalna związków półprzewodnikowych wytwarzanych metodami epitaksjalnymi z wykorzystaniem technik czułych na powierzchnię, takich jak spektroskopia fotoelektronów z wykorzystaniem promieniowania rentgenowskiego (XPS) oraz mikroskopia sił atomowych (AFM). Równocześnie zajmuje się wzrostem próbek półprzewodnikowych metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) oraz wykonuje pomiary efektu Halla.
W marcu 2023 roku z powodzeniem obroniła rozprawę doktorską. Od maja 2021 roku jest kierowniczką trzyletniego projektu badawczego finansowanego przez Narodowe Centrum Nauki (NCN) w ramach programu PRELUDIUM 19, zatytułowanego „Zastosowanie gradientowej warstwy kontaktowej AlGaN w celu uzyskania omowego kontaktu o niskiej rezystywności w emiterach głębokiego UV”.
Obecnie pracuje jako post-doc w projekcie OPUS 23 finansowanym przez NCN, zatytułowanym „Hybrydowe detektory fotowoltaiczne oparte na złączu van der Waalsa/(Al)GaN”, realizowanym pod kierunkiem prof. Roberta Kudrawca.
Aneta Mgłosiek
Aneta ukończyła studia magisterskie na kierunku Inżynieria Materiałowa na Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. W swojej pracy magisterskiej zajmowała się badaniem wpływu właściwości fizycznych osadów dennych na akumulację metali ciężkich. W naszym laboratorium Aneta odpowiada za koordynację zamówień, kontrolę budżetu, dokumentację oraz zapewnienie sprawnej organizacji pracy laboratorium.
Wojciech Olszewski
Wojciech ukończył studia licencjackie i magisterskie na kierunku Fizyka Doświadczalna na Uniwersytecie Wrocławskim. W 2016 roku, jeszcze w trakcie studiów, rozpoczął staż w laboratorium epitaksji w ówczesnym ośrodku EiT+ (obecnie Sieć Badawcza Łukasiewicz – PORT), gdzie rozpoczął naukę technologii epitaksji z fazy gazowej z wykorzystaniem związków metaloorganicznych (MOVPE). Tematem jego pracy magisterskiej była epitaksja azotku galu (GaN), realizowana w laboratorium PORT. W 2019 roku rozpoczął studia doktoranckie w tej dziedzinie, a w 2025 roku złożył rozprawę doktorską poświęconą wzrostowi GaNAs metodą MOVPE.
Obecnie realizuje trzeci rok projektu badawczego finansowanego przez Narodowe Centrum Nauki w ramach programu PRELUDIUM. W grupie badawczej Wojciech odpowiada za system MOVPE – prowadzi wzrost podłoży, nowych materiałów oraz heterostruktur zarówno na potrzeby całego zespołu, jak i w ramach własnych badań naukowych.
Adrianna Piejko
Adrianna jest inżynierem materiałowym oraz doktorantką na Politechnice Wrocławskiej. Ukończyła studia I stopnia na kierunku Fizyka Techniczna, a następnie studia magisterskie na kierunku Elektronika i Telekomunikacja. W swojej pracy doktorskiej koncentruje się na badaniach materiałów dwuwymiarowych, w szczególności chalkogenków metali przejściowych (TMD), analizując ich właściwości w skali atomowej. W Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT zajmuje się obsługą systemów do naparowywania metali oraz uczestniczy w procesie wytwarzania struktur półprzewodnikowych. Poza pracą naukową Adrianna interesuje się bieganiem, jazdą konną oraz kitesurfingiem.
Kamila Nowak
Kamila ukończyła studia licencjackie i magisterskie na Politechnice Wrocławskiej na kierunkach Inżynieria Chemiczna i Procesowa oraz Inżynieria Materiałowa. Obecnie realizuje studia doktoranckie na Politechnice Wrocławskiej w Katedrze Nanometrologii, na Wydziale Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów. Tematyka jej badań doktorskich obejmuje nowatorskie rozcieńczone półprzewodniki magnetyczne (DMS) oparte na materiałach z grupy III azotków (GaN, AlGaN).
Specjalizuje się w epitaksjalnym wzroście tych materiałów z wykorzystaniem plazmowo wspomaganej epitaksji z wiązek molekularnych (PA-MBE), a także w kompleksowej charakteryzacji strukturalnej i powierzchniowej materiałów półprzewodnikowych. Poza działalnością naukową Kamila chętnie spędza czas na świeżym powietrzu – uprawia turystykę pieszą, jazdę na rowerze oraz bieganie.