W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia Państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że pliki opisane w Polityce Prywatności będą zamieszczane na Państwa urządzeniu końcowym. W każdej chwili możecie Państwo zmienić ustawienia dotyczące plików cookies w przeglądarce internetowej. Akceptacja niezbędnych plików cookies jest wymagana do prawidłowego działania witryny. Szczegółowe informacje znajdą Państwo w zakładce POLITYKA PRYWATNOŚCI.

Projekty

Grupa Badawcza Epitaksji Związków Półprzewodnikowych

Projekty

Dominika Majchrzak_projekt 2

Zastosowanie gradientowej warstwy kontaktowej AlGaN w celu uzyskania omowego kontaktu o niskiej rezystywności w emiterach głębokiego UV – gradDUV2

Dofinansowanie:

  • Narodowe Centrum Nauki

Kierownik projektu:

  • dr Dominika Majchrzak
Detlef Hommel_projekt

Nowa klasa półprzewodników III-N rozrzedzonycharsenem: właściwości optyczne, strukturalne i elektryczne – IIINAs

Dofinansowanie:

  • Narodowe Centrum Nauki

Kierownik projektu:

  • prof. Detlef Hommel
Qdonsi

Właściwości optyczne, strukturalne i elektroniczne kropek kwantowych III-V na krzemie – QDonSi

Dofinansowanie:

  • Narodowe Centrum Nauki

Kierownik projektu:

  • prof. Jarosław Serafińczuk
Damian Pucicki_projekt

Wysokowydajne tranzystory AlGaN/GaN-HEMT wykonywane hybrydową technologią MBE-MOVPE – WYTRYCH

Dofinansowanie:

  • Sieć Badawcza Łukasiewicz

Kierownik projektu:

  • dr hab. inż. Damian Pucicki
[ninja_form id=17]

This will close in 0 seconds

This will close in 0 seconds