Van-der-GaN

Van-der-GaN: Dwuwymiarowe kryształy Van der Waals’a na półprzewodnikach azotkowych – zoptymalizowana bramka Schottkiego do detekcji UV

Dofinansowano ze środków budżetu państwa

Dotacja celowa przyznawana Instytucjom działającym w ramach Sieci Badawczej Łukasiewicz

(akronim projektu: Van-der-GaN)

Numer umowy: 5/Ł-PORT/CŁ/2021
Wartość projektu: 1 222 161,68 PLN
Wartość dofinansowania: 853 786,88 PLN
Okres realizacji projektu: od 2021-08-10 do 2023-09-30
Kierownik projektu: dr Łukasz Janicki

Planowanym efektem realizacji niniejszego projektu badawczego jest opracowanie technologii wytwarzania struktur składających się z półprzewodnika azotkowego (AlGaN) i dwuwymiarowego kryształu Van der Waals’a.

W projekcie proponujemy zoptymalizować struktury diody Schottkiego składającej się z półprzewodnika azotkowego (AlGaN) na którym nakładane będą kilkuwarstwowe struktury z dwuwymiarowych kryształów Van der Waals’a (na przykład h-BN, WSe2, MoS2, itp..) jako bariera Schottkiego. Właściwości materiałów dwuwymiarowych jak i półprzewodników AlGaN pozwalają na sterowanie parametrami złącza Schottkiego.

Wyniki prowadzonych badań pozwolą opracować metodę tworzenia hybrydowych struktur kryształ Van der Waals’a / półprzewodnik azotkowy, na których może bazować cała klasa nowatorskich elementów dla optoelektroniki z przestrajalnymi właściwościami. Przestrajalność właściwości złącza dwuwymiarowego kryształu Van der Waals’a – AlGaN będzie istotnym elementem niniejszego projektu.