Dofinansowano ze środków Unii Europejskiej w ramach programu Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki 2021-2027
Program Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki
Priorytet 2. Środowisko sprzyjające innowacjom
Nabór FENG.02.04-IP.04-001/25 – Badawcza Infrastruktura Nowoczesnej Gospodarki – ścieżka dla projektów instytucji
o charakterze sieciowym
Całkowita wartość projektu:
63 207 669,11 PLN
Wartość dofinasowania:
41 819 271,11 PLN
Wartość projektu po stronie Łukasiewicz – PORT:
Wartość dofinansowania po stronie Łukasiewicz – PORT:
Okres realizacji projektu:
Kierownik projektu: dr Krzysztof Czyż, prof. Detlef Hommel, prof. Robert Kudrawiec, dr Krzysztof Rola
- Lider konsorcjum: Sieć Badawcza Łukasiewicz – PORT Polski Ośrodek Rozwoju Technologii (Łukasiewicz – PORT)
- Konsorcjant: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Elektrotechniki (Łukasiewicz – IEL)
Główny cel projektu to rozbudowa potencjału badawczego Instytutów Sieci Badawczej Łukasiewicz: Łukasiewicz – PORT oraz Łukasiewicz – IEL, bazującego na transferze wiedzy i innowacji do gospodarki. Przedsięwzięcie konsorcyjne realizowane będzie w dziedzinie mikroelektroniki, elektrotechniki i inżynierii materiałowej, koncentrując się na rozwinięciu nowoczesnych laboratoriów i technologii niezbędnych do prowadzenia zaawansowanych badań, opracowania innowacyjnych produktów i rozwoju przedmiotowej branży.
Cele szczegółowe:
– rozszerzenie możliwości badawczych ośrodków poprzez zakup nowoczesnej aparatury,
– wzmocnienie kompetencji kadry naukowej i badawczej w obszarze wykorzystania infrastruktury,
– komercjalizacja wyników prac B+R, ze szczególnym uwzględnieniem transferu technologii i zarządzania
innowacjami,
– zapewnienie skutecznego dostępu dla przedsiębiorstw i innych zainteresowanych podmiotów do wspartej
infrastruktury badawczej na przejrzystych i niedyskryminacyjnych zasadach.
Zadania po stronie Łukasiewicz – PORT:
- opracowanie technologii przyrządów półprzewodnikowych takich jak emitery i detektory dla zakresu UV,
przyrządy wysokich mocy, tranzystory GaN dedykowane przekształtnikom niskonapięciowym (do 650 V) o
wysokiej sprawności – wytwarzanie warstw półprzewodnikowych, strukturyzacja warstw, czyli tzw. processing
(przede wszystkim za pomocą litografii elektronowej) oraz testy wytworzonych urządzeń mikroelektronicznych
i optoelektronicznych; - projektowanie, analiza i badanie możliwości strukturyzacji powierzchni (za pomocą lasera oraz litografii
elektronowej) w celu hydrofobizacji, - wytwarzanie i testowanie powierzchni superhydrofobowych, samoczyszczących i odpornych na działanie
czynników biologicznych.
Realizacja projektu przyczyni się do rozwoju technologii o szerokim potencjale wdrożeniowym w sektorach energetycznym, elektronicznym i materiałowym. Nowoczesna infrastruktura badawcza oraz rozwiązania opracowane z jej wykorzystaniem znajdą zastosowanie zarówno w przemyśle, jak i w sektorze publicznym oraz jednostkach naukowych.
Do grup docelowych projektu można zaliczyć operatorów, wykonawców i serwisantów sieci energetycznych, przedsiębiorstwa działające w obszarze odnawialnych źródeł energii, a w szczególności producentów i deweloperów urządzeń narażonych na działanie czynników atmosferycznych, takich jak deszcz, zabrudzenia i czynniki biologiczne, a także producentów urządzeń elektronicznych.
Pozostałe grupy docelowe obejmują instytucje administracji rządowej i samorządowej, w szczególności ze względu na realizację polityk wspierających efektywność energetyczną oraz finansowanie rozwoju nowych technologii. Do grup tych należą również jednostki badawcze i uczelnie, z którymi przewiduje się możliwość współpracy w zakresie prowadzenia badań oraz rozwoju nowych technologii.
