Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki w ramach konkursu „PRELUDIUM 24”
Nr projektu: 2025/57/N/ST5/04650
Wartość projektu: 138 531,00 PLN
Wartość dofinansowania: 138 531,00 PLN
Kierownik projektu: Kamila Nowak
Celem projektu „AlGaN:Mn – nowatorski półprzewodnik III-N dla elektroniki nowej generacji” jest opracowanie nowych materiałów półprzewodnikowych na bazie AlₓGa₁₋ₓN rozrzedzanych manganem, które mogą znaleźć zastosowanie w urządzeniach elektronicznych i spintronicznych. Sukces projektu przyczyni się do rozwoju półprzewodników łączących właściwości elektryczne i magnetyczne w jednym materiale.
Badane struktury będą wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych wspomaganej plazmą (PA-MBE), umożliwiającej precyzyjną kontrolę składu i domieszkowania w warunkach dalekich od równowagi termodynamicznej, co jest kluczowe dla precyzyjnego kształtowania właściwości materiału. Uzyskane warstwy zostaną poddane kompleksowym badaniom strukturalnym, optycznym, elektrycznym i magnetycznym, co pozwoli określić wpływ manganu na ich właściwości.
Realizacja projektu umożliwi lepsze zrozumienie mechanizmów odpowiedzialnych za funkcjonowanie AlGaN:Mn oraz stworzy podstawy do opracowania nowych, wielofunkcyjnych materiałów dla elektroniki nowej generacji.
