W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia Państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że pliki opisane w Polityce Prywatności będą zamieszczane na Państwa urządzeniu końcowym. W każdej chwili możecie Państwo zmienić ustawienia dotyczące plików cookies w przeglądarce internetowej. Akceptacja niezbędnych plików cookies jest wymagana do prawidłowego działania witryny. Szczegółowe informacje znajdą Państwo w zakładce POLITYKA PRYWATNOŚCI.

Projekty

Grupa Badawcza Epitaksji Związków Półprzewodnikowych

Projekty

Damian Pucicki_projekt

Wysokowydajne tranzystory AlGaN/GaN-HEMT wykonywane hybrydową technologią MBE-MOVPE – WYTRYCH

Dofinansowanie:

Kierownik projektu:

This will close in 0 seconds