Badania mechanizmów wzrostu oraz formowania interfejsu w heterostrukturach h-BN/GaN wytwarzanych metodą MOVPE – BNGaN

Projekt obejmuje trzymiesięczny staż naukowy na Pohang University of Science and Technology (POSTECH) w Korei Południowej, którego celem jest badanie wzrostu i właściwości heterostruktur h-BN/GaN otrzymywanych metodą MOVPE. Badania koncentrują się na optymalizacji procesu wzrostu warstw h-BN na azotku galu (GaN), analizie jakości granicy międzywarstwowej oraz identyfikacji defektów powstających podczas integracji materiałów 2D i 3D.

W ramach projektu prowadzone będą zaawansowane badania strukturalne, optyczne i elektryczne otrzymanych heterostruktur z wykorzystaniem nowoczesnej infrastruktury badawczej POSTECH. Uzyskane wyniki pozwolą lepiej zrozumieć zależność pomiędzy warunkami wzrostu a właściwościami materiałów oraz stworzą podstawy do rozwoju nowoczesnych urządzeń optoelektronicznych, takich jak diody DUV LED, fotodetektory i tranzystory HEMT.

Projekt stanowi rozwinięcie badań prowadzonych w Sieci Badawczej Łukasiewicz – PORT w zakresie epitaksji półprzewodników azotkowych oraz wzmacnia międzynarodową współpracę naukową z jednym z czołowych ośrodków badawczych w tej dziedzinie.