Dofinansowano ze środków budżetu państwa
Dotacja celowa przyznawana Instytucjom działającym w ramach Sieci Badawczej Łukasiewicz
Nr umowy: 2/Ł-PORT/CŁ/2021
Wartość projektu: 3 436 621,88 PLN
Wartość dofinasowania: 2 743 406,55 PLN
Okres realizacji projektu: 01.09.2021 – 31.08.2024
Kierownik projektu: dr hab. inż. Damian Pucicki
Głównym celem projektu jest rozwiązanie problemu ograniczeń materiałowych i technologicznych hamujących dalszy rozwój tranzystorów HEMT wykonywanych epitaksjalnie z wykorzystaniem jednej techniki wzrostu epitaksjalnego. Zastosowanie hybrydowej technologii łączącej możliwości techniki MOVPE oraz MBE umożliwi wykonanie struktur tranzystorów na podłożach typu template o zoptymalizowanej konstrukcji, redukując tym samym efekty pasożytnicze ograniczające możliwości pracy tranzystorów GaN-HEMT.
