„Szybko przełączające wertykalne tranzystory na bazie azotku galu, przeznaczone do sterowania i zasilania diod laserowych”
(akronim: PioneerGaN)

Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach 1. Konkursu polsko-berlińskiego w obszarze fotoniki

Wartość projektu:3 302 052,60 PLN (w tym 347 859,53 PLN wkładu własnego)
Wartość dofinansowania: 1 562 754,97 PLN
Okres realizacji projektu: 01/01/2016-31/12/2018

Kierownik projektu: prof. dr hab. Detlef Hommel
Konsorcjum realizujące projekt:

1. Wrocławskie Centrum Badań EIT+ Sp. z o.o. – Lider Konsorcjum
2. Seen Semiconductors sp. z o. o.

Praca w trybie ciągłym (CW) diod laserowych prowadzi do przegrzewania obszaru aktywnego, a w konsekwencji do zmniejszejnia mocy wyjściowej lasera oraz degradacji urządzenia. Wzrost mocy wyjściowej przyrządu może mieć wpływ jego praca w warunkach izotermicznych. W ramach projektu PioneerGaN wytworzone zostaną wertykalne tranzystory, których struktura oparta będzie o monokrystaliczny amonotermalny azotek gallu. Taka konstrukcja szybko przełączającego się tranzystora pozwala na zintegrowanie z diodą laserową. Brakującym ogniwem do tworzenia takich systemów są szybko przełączające elementy półprzewodnikowe, których wytworzenie i stworzenie układu z diodami laserowymi jest zadaniem niniejszego projektu. Umożliwi to pracę lasera w trybie impulsowym, co daje przewagę w postaci wysokiego natężenia światła przy zachowaniu odpowiedniej jakości wiązki i równoczesnym zmniejszeniu efektu cieplnego, co wpływa na żywotność i jakość pracy lasera. Cechy te stanowią warunek wykorzystania w wielu nowych systemach optoelektronicznych, np. LIDAR (and. Light Detection And Ranging), aplikacji w spektroskopii w różnych dziedzinach, w tym medycynie oraz innych – na rynku piko projektorów, telewizji laserowej, wielkoformatowych wyświetlaczy laserowych, do których niezbędna jest wysoka moc optyczna.