GaNLIN

Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach

liniowych i płytach indukcyjnych

(Akronim projektu: GaNLIN)

Dofinansowano ze środków budżetu państwa

Dotacja celowa przyznawana Instytucjom działającym w ramach Sieci Badawczej Łukasiewicz

Numer umowy: 1/Ł-IMiF/CŁ/2023
Wartość projektu: 7 628 985,75 PLN
Wartość dofinansowania: 6 671 588,25 PLN
Wartość dofinansowania dla PORT: 1 572 500,75 PLN
Okres realizacji projektu: od 2023-02-01 do 2025-12-31

Kierownik projektu: Prof. dr hab. inż. Robert Kudrawiec

Celem projektu jest wprowadzenie na rynek polskiego tranzystora GaN HEMT (high electron mobility transistor) 650V i 1200 V do układów energoelektronicznych dla przemysłu wysokich mocy. Takie rozwiązanie da polskiemu przemysłowi możliwość wprowadzenia innowacyjnych rodzimych rozwiązań technologicznych w dziedzinie elektroniki do własnych produktów i wytworów działalności gospodarczej. Spowoduje to zwiększenie konkurencyjności polskich przedsiębiorstw na rynku europejskim i światowym. Do spełnienia tego celu zostanie opracowana technologia wysokonapięciowych tranzystorów w Łukasiewicz- IMIF zweryfikowana i skonsultowana z ITRI oraz wyprodukowana przez UMC. Technologia dla napięcia 650V jest obecnie na TRL 6. Po zakończeniu będzie TRL 9. Technologia dla innych klas napięciowych (100V, 200V, 750V, 950V 1200V) jest obecnie na TRL 3. Jednak przejście na wyższy poziom TRL będzie stosunkowo szybkie, uwzględniając skalowanie opracowanej technologii 650V na wyższe (bądź niższe) napięcia.

Tranzystory na 1200V i 900V nie są jeszcze dostępne na rynku tak lokalnym jak i globalnym i to one w pierwszej kolejności będą celem projektu. Następnie nowa architektura będzie skalowana na niższe napięcia. W ramach projektu planowany jest rozwój platformy technologicznej tranzystorów GaN HEMT na podłożach krzemowych w oparciu o własne oryginalne prace badawcze. Kluczowa, oryginalna cześć technologii będzie chroniona poprzez złożenie odpowiednich wniosków patentowych albo jest w trakcie rozpatrywania wniosków patentowych chroniących oryginalne rozwiązania w zakresie elementów technologii tranzystorów GaN HEMT.

Łukasiewicz-IMiF posiada know-how dotyczące wytwarzania i projektowania topologii tranzystorów GaN HEM w tym kluczowych operacji technologicznych np. kształtowania obszaru bramki dla normalnie wyłączonych tranzystorów GaN HEMT czy też wytwarzania stabilnych termicznie, planarnych izolacji poszczególnych przyrządów za pomocą implantacji jonów. Tranzystory na napięcia 650V i niższe już dostępne są na rynku natomiast technologia opracowana przez Łukasiewicz IMIF będzie (przynajmniej częściowo) inną od obecnie oferowanych, która będzie mogła być zabezpieczona wyłącznymi prawami własności intelektualnej.