WYTRYCH

„Wysokowydajne tranzystory AlGaN/GaN-HEMT wykonywane hybrydową technologią MBE-MOVPE”

(akronim projektu: WYTRYCH)

Dofinansowano ze środków budżetu Państwa

Dotacja celowa przyznawana instytutom działającym w ramach Sieci  Badawczej Łukasiewicz

Nr umowy: 2/Ł-PORT/CŁ/2021
Wartość projektu: 3 436 621,88 PLN
Wartość dofinasowania: 2 743 406,55 PLN
Okres realizacji projektu: od 2021-09-01 do 2024-08-31
Kierownik projektu: dr hab. inż. Damian Pucicki, profesor Politechniki Wrocławskiej

Głównym celem projektu jest rozwiązanie problemu ograniczeń materiałowych i technologicznych hamujących dalszy rozwój tranzystorów HEMT wykonywanych epitaksjalnie z wykorzystaniem jednej techniki wzrostu epitaksjalnego. Zastosowanie hybrydowej technologii łączącej możliwości techniki MOVPE oraz MBE umożliwi wykonanie struktur tranzystorów na podłożach typu template o zoptymalizowanej konstrukcji, redukując tym samym efekty pasożytnicze ograniczające możliwości pracy tranzystorów GaN-HEMT.